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购物网站的首页是静态,免费软件下载网站入口正能量,最新章节 62.一起来做网站吧,设计师门户网站源码在当今快充技术快速发展的时代#xff0c;电源芯片作为充电器的核心部件#xff0c;其性能和效率直接影响到整个充电系统的品质与用户体验。对于功率在20W以上的隔离型快充应用#xff0c;芯片需要在复杂的工况下实现高效率、高可靠性和高集成度的平衡。LP8718B/C系列芯片凭…在当今快充技术快速发展的时代电源芯片作为充电器的核心部件其性能和效率直接影响到整个充电系统的品质与用户体验。对于功率在20W以上的隔离型快充应用芯片需要在复杂的工况下实现高效率、高可靠性和高集成度的平衡。LP8718B/C系列芯片凭借其独特的设计理念和卓越的性能成为市场上备受关注的解决方案。本文将深入剖析LP8718B/C芯片的核心技术与应用优势探讨其如何在激烈的市场竞争中脱颖而出成为20W以上快充应用的理想选择。芯片简介把 LP8718 的系统框图抽象成三条信号链就能秒懂它的工作逻辑功率链整流→变压器→同步整流→USB-C。采样链DET 脚“一箭三雕”——退磁检测、母线欠压、输出过压CS 脚做峰值电流FB 脚收光耦。控制链65 kHz 峰值电流模式 频率折返 打嗝 抖频全部自运行无需次级任何通讯。三条链交汇于“恒功率/恒流比较器”芯片根据 DET 推算出的输出电压实时改写电流基准 VREF_CCP从而把传统“固定电流墙”做成“斜率功率墙”——这就是 CP 模式的精髓。25 W 比 20 W 多 5 W 的秘密LP8718B 与 C 同宗同源却有两处“暗藏”差异维度LP8718BLP8718C内置 MOSFET RDS(on)2.0 Ω1.3 Ω推荐功率20 W25 W效率 230 VAC/20 W≈88 %≈90.5 %温升 25 W 密闭壳超标62 ℃ 余量 8 ℃结论C 版把芯片自身损耗降低约 0.8 W靠“低阻管”硬吃 5 W 增量无须额外散热片正是“多 5 W”的底层物理。三模工作“无缝切换”实测用电子负载拉出 I-V 曲线可以清晰看到三段特性CV 区0→1.8 A输出 12 V 纹波 35 mV频率 65 kHz 满载22 kHz 轻载打嗝模式 1 V/1.1 V 窗口。CP 区1.8→3.3 A电压从 12 V 滑到 6.7 V功率恒定在 22 W±3 %此时 VREF_CCP 由 0.277 V 线性爬升到 0.154 V芯片“自动降电压、补电流”。CC 区3.3→3.6 A电压 6.7 V→3.6 V电流被钳位在 3.6 A低于 3.6 V 触发 Hiccup高于 15 V 触发 OVP。全程切换无回退、无震荡负载端看不到 100 mV 以上的毛刺手机 PD 协议芯片不重启、不闪屏。六项“黑科技”拆解DET 脚“一箭三雕”退磁检测 母线欠压 输出 OVP省掉传统三次侧采样网络BOM 省 6 颗电阻。频率抖动 2 ms/±7 %把 65 kHz 能量“抹”成 8 kHz 带宽传导 EMI 峰值降低 6 dB轻松过 CISPR22 B 级。智能斜坡补偿内置 52 mV/μs 斜率占空比50 % 仍能抑制次谐波振荡允许使用 1:2.5 小匝比变压器磁芯体积降一档。双阈值打嗝1.0 V 进入、1.1 V 退出空载功耗 75 mW230 VAC 插拔无火花满足 CoC V5 Tier-2。软启动 9 ms 阶梯爬坡逐周期抬高 VCS_MAX抑制变压器饱和次级 SR 管电压应力降低 20 %。全能保护矩阵11 项故障检测全部“自恢复”省去传统保险丝和 NTC降低售后返修率。实战25 W PD 参考设计输入90-264 VAC45-440 Hz输出5 V3 A / 9 V2.78 A / 12 V2.08 A / 15 V1.67 A / 20 V1.25 APPS 20 mV/50 mA 步进关键器件变压器EE16WPC40 材质Np:Ns:Na 26:6:8Lp 450 μHSRMP6908100 V/10 mΩ次级滤波680 μF/16 V ×2固态启动电阻1.5 MΩ/0.25 W待机功耗 38 mW散热无散热片利用 1 oz 铜皮 漏极铺铜 120 mm²25 ℃ 环温下芯片温升 62 ℃实测结果平均效率 230 VAC90.7 %满足 CoC V5传导余量 6 dB辐射余量 8 dB浪涌 ±2 kV 无器件失效4 kV EFT 测试输出不重启容易被忽视的五个“坑”DET 分压电阻温漂高阻值 1 M 以上必须使用 1 %精度、100 ppm/℃ 温漂否则 CP 功率墙随温度漂移 8 %。CS 电阻走线采样脚到电阻的 Kelvin 线 10 mm且远离 650 V 动点否则 30 mV 短路保护误触发。VCC 电容选型必须是 X7R 或薄膜22 μF 以上Y5V 材质在 -20 ℃ 容量衰减 60 %导致启动失败。变压器漏感漏感3 % 时VCC 过压尖峰可达 70 V须用 RCD 吸收 齐纳钳位否则触发 60 V VCC_OVP。铺铜散热ASOP6 底部无散热焊盘D 脚铺铜面积每增加 50 mm²结温下降 7 ℃但过大寄生电容会拖慢 Drain 上升沿折中 120 mm² 最佳。